Toshiba показала 19nm чипы флэш-памяти

[SAN_SAN_SAN]

На выставке Nanotech 2013, компания Toshiba продемонстрировала 300-миллиметровую пластину с чипами флэш-памяти плотностью 128 Гбит, изготовленными по технологии 19нм. Число циклов перезаписи показанной памяти — несколько сотен раз



Чипы используют технологию хранения трех бит информации в одной ячейке (TLC) NAND. Для уменьшения взаимного влияния ячеек друг на друга, специалисты Toshiba использовали воздушные зазоры в плавающих затворах. Как утверждает производитель, за счет этого по надежности работы новая память не уступает памяти, изготавливаемой по 24-нанометровой технологии. Указанный прием Toshiba рассчитывает применять и в последующих поколениях техпроцесса.

Количество циклов перезаписи показанной памяти — несколько сотен, что на много меньше числа циклов перезаписи памяти типа MLC NAND, хранящей в каждой ячейке по два бита информации. В результате ее область применения ограничена флэшками, картами памяти и другими подобными приложениями.
Источник:
http://techon.nikkeibp.co.jp/english...130201/263732/