Учёные из США предложили многослойный дизайн транзистора

[SAN_SAN_SAN]

Шести нанометровый техпроцесс является критическим для кремния; дальнейшая его миниатюризация считается невозможной. Достигнут он будет, судя по прогрессу в литографии, к 2020 году, и для дальнейшего уменьшения размера транзистора уже сейчас ведётся поиск его более перспективной альтернативы. Учёные из центра наноэлектрики при университете Пердью предложили свой вариант материала, который в будущем будет способен заменить кремний – сообщает сайт TG Daily. Кроме того, ими была представлена новая технология расположения элементов транзистора.



Согласно их задумке – материалом для транзисторов будущего послужат двумерные кристаллы дисульфида молибденита, относящегося к новому классу полупроводников – ди-халогенидам металлов. Двумерными кристаллы названы от того, что их толщина составляет всего 0,7 нанометра, или 3 атома. Транзистор будет собираться из нескольких слоёв данного материала, как показано на иллюстрации. Разработчики уверены, что именно такая "слоёная" концепция транзистора является наиболее перспективной заменой технологии CMOS, поскольку она легко масштабируется и пригодна для работы с любым двумерным материалом.

http://www.overclockers.ru/hardnews/...anzistora.html